SK海力士亮相HPED 2026：HBM4与CXL内存新品展示AI内存新布局

近日，SK海力士亮相于美国拉斯维加斯威尼斯人会议中心举办的HPE Discover Las Vegas 2026全球技术会议。作为惠普企业年度盛会，该展会聚焦人工智能、云计算及网络基础设施领域的最新变革趋势，吸引了全球科技企业的广泛参与。

在展会现场，SK海力士以英伟达下一代AI平台Vera Rubin为核心，搭建了内部结构模型。围绕该模型，企业重点展示了16层48GB HBM4、12层36GB HBM4及12层36GB HBM3E等实物产品，通过实物陈列与模型结合的方式，清晰呈现了HBM4在AI平台中的具体安装位置与技术适配性。

针对企业级存储需求，SK海力士推出了已通过HPE认证的数据中心级PS1010 E3.S eSSD。该产品基于176层4D NAND闪存技术，目前正与64GB DDR5 RDIMM配套向HPE供货，形成完整的存储解决方案。这一组合已实际应用于服务器系统，验证了其在高负载场景下的稳定性与性能优势。

在内存产品展区，SK海力士展示了多条技术路线。服务器DRAM领域，业界最大容量的256GB 3D堆叠式RDIMM产品成为焦点，其采用TSV技术实现DRAM芯片垂直连接，显著提升了数据传输效率。DDR5 RDIMM产品线则覆盖128GB、96GB和64GB等规格，满足不同场景的容量需求。基于LPDDR技术的192GB SOCAMM2 AI服务器内存模块也同步展出，体现了企业在低功耗内存领域的量产能力。

CMM-DDR5产品线同样引人注目。展台展示了搭载第一代CXL 2.0+平台的128GB产品与第二代CXL 3.2平台的256GB产品，并展出了配备SK海力士CMM-DDR5的Liquid CXL池化内存服务器。这一系列展品凸显了企业在内存扩展与资源池化技术上的突破。

会议期间，SK海力士还介绍了下一代内存架构的研发进展，包括CXL全内存系统及异构内存软件开发工具包HMSDK。这些技术旨在优化内存资源分配，提升系统整体性能，为AI基础设施提供更高效的支撑。企业表示，将持续深化全栈AI内存制造商的定位，通过技术创新拓展在AI市场的角色与影响力。

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