长鑫存储论文展示GAA技术 适用于尖端3纳米级芯片

　　长鑫存储在旧金山举行的第69 届IEEE 国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（GAA）技术，适用于尖端3纳米级芯片。

　　南华早报报道，虽然长鑫存储尚未提供样品产品，但这家公司提供的下一代内存芯片生产的证据，引起了行业分析师的关注。

　　华邦电子的储存芯片专家Frederick Chen表示，长鑫存储的进展令人印象深刻，因为代表这家公司距离最先进的研究和技术并不遥远。 因为三星电子正在尝试做同样的事情。

　　长鑫存储发表声明称，该论文描述了与DRAM结构和4F2设计可行性相关的基础研究，与长鑫存储当前的生产工艺无关，暗示该设计纸张还远未成为一种适销对路的产品。

　　长鑫存储专家表示，我们坚信，IEDM寻求促进的思想自由流动对于行业的创新和发展至关重要。

　　长鑫存储两周前发布，已生产出首款低功耗双倍资料速率5（LPDDR5）DRAM芯片，缩小了与三星和SK海力士等领先厂商的差距。

　　华盛顿邮报先前报道，长鑫存储也一直在开发高带宽记忆体（HBM）芯片，这种内存已越来越多地被人工智能应用采用，以提高内存堆叠和处理器之间的资料传输速度。

　　GAA的研究可以追溯到2000年。 GAA被认为对下一代逻辑芯片的开发非常重要，因为它可以实现晶体管的持续微缩，这代表在IC上封装更多的晶体管，这是台积电等全球代工厂领先的芯片制程，和三星的技术进一步低于3纳米。

　　三星去年6月宣布3纳米GAA技术量产，并号称3纳米GAA弯道超车台积电量产，至今已超过1年仍乏人问津，被外界嘲讽大客户方面不如台积电。

　　该技术需要专门的EDA软件，而中国在这一领域落后于全球同行。 工程师需要此类软件来设计IC，该市场由美国公司 Cadence Design Systems、Synopsis 和 Mentor Graphics 主导。

　　与此同时，彭博引述知情人士的话报道，长鑫存储将推迟首次公开募股，并将考虑以约1,400亿元的估值筹集资金，但由于市场状况波动而推迟。

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