明年存储器芯片市场度过寒冬 迎来周期性需求改善

　　摩根士丹利本周三的报告中再次上调内存芯片涨价预期，其指出从修正后的每股获利来看，美股存储器股现在较上一个周期要便宜得多，内存芯片行业将进入周期性成长加速、需求明显提高的时期。

　　大摩在报告中指出，下游补库存，供给远低于需求，明年第一季记忆体芯片价格有望大幅上涨：我们预估DRAM和NAND价格将在明年第一季上涨20%，最新的预期较此前增幅翻倍，此前的预期是DRAM价格涨幅为8%至13%，NAND价格涨幅为5%至10%。

　　下游客户已开始补库存，OEM明年第一季订单量将大幅增加，电脑ODM/OEM也在建立库存。 而智能手机制造商重新补库存将带来价格的上涨，库存将恢复到正常水平（移动DRAM需要4至6周，NAND需要6至7周）。

　　从供需方面来看，内存芯片商在大幅减产之后，产量远远低于需求，随着需求的改善，明年的价格上涨前景将更加明确。

　　进一步来看，大摩指出，人工智能（AI）需求将进一步提振记忆体芯片价格：我们还需要考虑到明年HBM芯片100亿美元市场规模成长的影响，以及AI需求的突然出现将导致供应短缺延长。

　　此外，虽然 AI 应用程序大部分都部署在云端，但从 2024 年开始，边缘运算需求将变得越来越普遍 （移动 AI），并可能逐渐进入智能手机升级周期。

　　整体来看，大摩认为，随着每股获利年增加速，内存股往往表现优异，现在刚刚进入周期中期/乐观阶段，DRAM现货价格年增为 - 16%，距离峰值水平仍有距离。 而抛开估值不谈，内存芯片周期已经从今年第一季的低点恢复，进入明年将进一步改善。

　　根据最新的产业数据，大摩上调三星和SK海力士的每股获利预期，并预估海力士将在第四季实现获利，并在HBM市占成长和大宗商品价格大幅改善的推动下，进入获利周期，到明年底/2025年初将达到创纪录的水平。 三星则将通过内存涨价快速提高利润率，同时或将从融入 AI 技术的 S24 edge 产品中受惠，该产品将在明年第一季推出。

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