黄仁勋在三星HBM3E展位留下签名 业内猜测该产品即将供货

当地时间3月20日，英伟达首席执行官黄仁勋在加州圣何塞举行的GTC 2024活动上参观了三星电子展台，并在展示的第五代高带宽内存(HBM3E)上留下了手写签名，该产品得到了业内人士的积极解读。继他在 3 月 19 日发表评论表达了对三星 HBM 的高度期望之后，此举被广泛视为几乎肯定表明三星的 HBM 将用于 Nvidia 的人工智能 (AI) 加速器。

黄仁勋参观 GTC 2024 三星展位是通过三星电子美国半导体部门执行副总裁 Han Jin-man 得知的。韩执行副总裁在他的社交网络上分享道：“黄仁勋，很遗憾我们不能见面。感谢您来到我们的展位”，并附上黄仁勋在三星 12 层 HBM3E 实体产品上签名的照片。Han 对黄仁勋对三星 HBM3E 的“认可”表示高兴，并表达了对三星半导体和 Nvidia 下一步合作的期待。

据了解，当天，黄仁勋参观了展位，并在HBM3E 12层产品上用金笔留下了手写签名，还不忘与三星电子官员合影留念。

黄先生的“JENSEN APPROVED”信息的确切含义尚未得到证实，但业内将其解释为“通过了质量测试”。一位业内人士表示，“通常技术团队都会在文件上签署‘批准’，所以在产品本身上留下签名是很不寻常的”，这可能意味着质量测试通过后即将供货。

特别是，黄仁勋的来访引起了业界的关注，因为他在 Nvidia GTC 2024 全球媒体活动上发表声明称“我们目前正在测试三星的 HBM。我们的期望很高。”

据悉，竞争对手 SK 海力士是第一家从本月底开始向 Nvidia 供应第五代 HBM3E(8 层/24 GB)DRAM 的内存公司。SK海力士还在本次活动中设立了电动展位，展示了HBM3E 12层(36GB)的样品。

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