SK海力士副总裁：下一代HBM将超越记忆
金融科技 2024-03-30 user123546
SK海力士高带宽存储器(HBM)产品创新(PI)副总裁Kwon Eon oh在3月28日表示，“下一代HBM不仅必须在特定功能方面表现出色，还需要发展成为一种可以发挥记忆之外作用的形式，为每个客户提供差异化的专业能力。”
Kwon副总裁预测，“未来用于人工智能(AI)的存储器类型将超越当前的数据中心类型，包括为特定目的量身定制的、性能和效率得到提高的专用集成电路形式，以及为客户产品优化的设备形式。”
他继续说道，“不仅HBM，各种类型的DRAM都将被用作人工智能的存储器，这就需要开发出专门用于传统特征之外的各种条件的设备。在这个快速变化的时代，我们需要拓宽视野，融合多种技术，创造协同效应。”
权副总裁是DRAM领域的专家，他于2022年将全球首个下一代工艺高K金属门(HKMG)引入移动DRAM低功耗DDR(LPDDR)，提高了速度并降低了功耗。去年，他被提拔为高管，并承担了完成SK海力士HBM技术路线图的重要任务。
The End
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