三星宣布下一代HBM4内存：更高的容量、速度和3D封装技术

三星宣布其下一代 HBM4 内存正在开发中，并将于 2025 年首次亮相，具有下一代速度、容量和功能。

三星发布了一篇博客，解释其下一代 HBM4 正在开发中，其当前的 HBM3E“Shinebolt”内存作为其旗舰 HBM。HBM3E“Shinebolt”内存容量为36GB，采用24Gb DRAM，带宽高达9.8Gbps，内存技术支持12-Hi堆栈和2.5D先进封装技术。

HBM4 是三星的下一步。如果该公司使用相同的 24Gb 模块，我们应该会看到 16-Hi 堆栈。这将允许在未来一代 AI GPU 上使用高达 256GB 的 HBM4，速度应达到 10Gbps 或更高。三星肯定正在开发更密集的 DRAM 模块，我们应该会看到 24Gb+，这将推动 HBM4 驱动的 AI GPU 的总容量达到顶峰。

报道称，三星的韩国竞争对手 SK 海力士已与台积电合作开发 HBM4 和下一代先进封装技术。三星正在为 HBM 内存主导地位的一场大战做好准备，最近组建了一个新的专门 HBM 内存团队，这将提高产量，而 HBM4 正准备在 2025 年首次亮相。

在早期市场，硬件的多功能性很重要，但在未来，随着围绕杀手级应用的服务成熟，硬件基础设施将不可避免地三星电子计划通过统一核心芯片以及实现 8H、12H 和 16H 等封装和基础芯片的多样化来应对。

该公司继续说道：“如果解决电源墙的第一个创新始于从下一代HBM4开始的使用逻辑工艺的基模的引入，那么第二个创新将随着从当前的2.5D到3D HBM的逐渐发展而发生。随着DRAM单元和逻辑的发展，如HBM-PIM，预计第三个创新将发生。我们目前正在与客户和合作伙伴讨论实现这些创新，我们将积极规划并准备打开市场”。

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