美光推出232层企业储存 具备业界领先的位元密度

存储巨头美光科技今日宣布推出232层QLC储存(NAND)记忆体，将整合至部分Crucial消费型SSD产品中，目前Crucial SSD已正式量产并向企业储存装置客户出货，美光2500 NVMe TM SSD则已向PC制造商送样，展现美光在NAND技术上的持续领先地位。

NAND快闪记忆体技术包括SLC、MLC、TLC、QLC，企业级储存产品采QLC技术增多。美光表示，232层QLC NAND具备业界领先的位元密度，较竞争对手的最新产品高28%，领先业界的2400 MT/s NAND介面数据传输速度，相较前一代产品提高50%，读取效能较前一代产品提升4%，程式设计效能较前一代产品提高31%。

Pure Storage超大规模事业部总经理Bill Cerreta 表示，美光232层QLC NAND是大容量Direct Flash模组的关键推动因素。Pure Storage计划在2028年之前更换资料中心的所有传统硬盘HDD，美光的NAND创新将帮助公司加速实现此一目标。

美光已连续二代推出具有最高NAND层数的用户端QLC NVMe SSD。美光表示，2500 SSD是全球首款整合200层以上QLC NAND的用户端SSD。AMD也将纳入AMD储存装置主流应用平台的选项，将成为公司高效能AMR yzen处理器的最佳搭档。领先竞争对手包括SK Hynix、Solidigm、Kioxia、WD和Samsung。

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