三星将在H2推出基于QLC的NAND 以引领AI存储市场

　　三星电子计划在下半年推出一款新的高容量NAND存储芯片，以在人工智能热潮中引领快速增长的存储设备市场。

　　这家韩国芯片制造商上个月开始大规模生产 1 TB 三层单元 (TLC) 第九代 V-NAND，这是业界首家这样做的芯片制造商，预计未来几年对 AI 设备的高容量数据存储系统的需求将呈指数级增长。

　　290 层 V9 NAND 是继三星 236 层 V8 闪存产品之后的尖端产品，面向大型企业服务器以及 AI 和云设备。

　　“鉴于人工智能数据中心的高电费，大容量内存对存储服务器至关重要，”三星产品规划团队副总裁Hyun Jae-woong在周二发表的内部采访中表示。

　　三星表示，将在下半年推出基于四层单元(QLC)的NAND闪存产品。

　　该公司表示，基于QLC的NAND将满足对AI数据中心中使用的超高容量固态硬盘(SSD)日益增长的需求。

　　行业官员表示，QLC NAND可以比多级单元(MLC)和三层单元(TLC)设备存储更多的数据，从而显着提高存储性能。

　　Hyun表示，三星计划目前专注于AI服务器的NAND产品，但将越来越多地将其产品组合扩展到用于设备上AI、汽车和边缘设备的NAND闪存。

　　该芯片制造商预计 SSD 市场将随着高带宽内存 (HBM) 的爆炸性增长而快速增长，高带宽内存 (HBM) 的处理速度比传统存储芯片快得多。

　　自 2002 年以来，三星一直是 NAND 市场的领导者，目前控制着全球约三分之一的市场份额。

　　基于NAND的存储设备的竞争非常激烈，因为AI芯片专注于推理，这需要大容量存储设备来存储和处理图像和视频。

　　NAND闪存是一种非易失性存储芯片，即使在断电时也能存储数据。它用于智能手机、USB 驱动器和服务器等设备。

　　更高密度的NAND芯片将加速数据密集型环境和工作负载，如AI引擎和大数据分析。对于 5G 智能手机，增强的容量可以加快多个应用程序的启动和切换速度，从而提供响应更灵敏的移动体验和更快的多任务处理。

　　根据市场研究公司Omdia的数据，NAND闪存市场在2023年下降37.7%之后，预计今年将增长38.1%。

　　随着对NAND芯片的需求不断增长，三星的NAND业务在第一季度实现了营业利润。

　　为了在快速增长的市场中站稳脚跟，三星发誓要大力投资NAND业务。

　　三星推动NAND之际，该公司周二任命副董事长Jun Young-hyun为其新任董事长Miconductor业务主管。

　　尽管三星在整个DRAM市场处于领先地位，但在HBM市场，三星正在努力追赶其跨城竞争对手SK海力士公司，SK海力士公司是全球第二大内存制造商，也是英伟达公司高端HBM芯片的主要供应商。

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