美光在广岛增建DRAM晶圆厂的计划推迟到2027年

　　内存制造商美光科技计划在日本广岛建造一座新的DRAM工厂。新工厂将配备极紫外光刻（EUV）设备，使其能够生产美光最先进的存储产品。该公司计划在 2026 年初破土动工，并在 2027 年之前启动并运行该工厂。

　　据Digitimes报道，美光在2023年宣布将投资高达5000亿日元（32亿美元）将EUV设备带到广岛。最初，目的是在 2025 年底之前开始大规模生产最先进的 DRAM。最新消息表明，该设施的建设可能会推迟两年。

　　一旦完成，该工厂将生产下一代计算机内存技术1伽玛DRAM。它还将生产用于生成式人工智能的高带宽内存（HBM）。美光希望到 2025 年在 HBM 领域实现 25% 的市场份额。它目前落后于SK海力士和三星，这两家公司分别生产了全球50%和40%的HBM。

　　美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana估计，DRAM的全球市场规模每年以15%的速度增长。这位高管预计 HBM 的增长将超过这个数字的三倍。这意味着 HBM 的销售额每年可以增长 40% 到 50%。对于美光来说，这是很大的潜力。

　　现在，有报道称，新工厂的初始投资将在6000亿至8000亿日元（3.8至51亿美元）之间。据报道，日本经济产业省承担了三分之一的费用。它向美光提供了高达1920亿日元（12亿美元）的建筑和设备补贴。美光还获得了补贴，用于支付该工厂生产HBM所需资金的一半，金额为250亿日元（1.59亿美元）。

　　因此，虽然在启动和运行方面有所延迟，但对工厂的投资却有所增加。这可能是因为美光需要尽快增加产能。其 2024 年的 HBM 产量已经完全售罄，美光 2025 年的产量也已 100% 被客户预订。

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