三星HBM3E仍未通过辉达验证　韩媒：已开始研发下一代技术

　　近期韩媒报道，三星电子的第五代高频宽记忆体HBM3E终于通过英伟达验证，预计完成相关程序，将正式供货。不过，三星随即发布澄清声明，指出该消息并不正确，相关的产品品质测试仍在进行。

　　据当地媒体报道，三星收到HBM3E Qualtest PRA（产品准备批准）通知，但随即遭到三星澄清否认，这使得三星当日股价大涨有所回落。不过，三星隔日发布第二季财报，受到全球市场需求回温与AI热潮推动，营收和营业利润双双均带来显著增长，合并营收约为74兆韩元，合并营业利润约为10.4兆韩元，销售额比去年同期增长约23.31%，营业利润更是大幅增长14倍之多，这使得三星股价在周五（5日）早盘上扬2.13%，创下今年新高。

　　对于AI服务器处理器效能至关重要的HBM3E，三星的产品一直未能通过英伟达验证，一度传出与台积电有关，这使得在HBM市场竞争对手SK海力士、美光居于弱势。当时外媒报道指出，主要是三星的记忆体仍无法处理过热与功耗过高等问题，导致英伟达AI晶片无法使用，这印证了三星产品未通过台积电认证，是出自产品问题。

　　据《Businesskorea》报道，三星在半导体事业暨装置解决方案事业部成立了HBM开发团队，以增强该公司在HBM技术的竞争力，这是在三星电子共同执行官庆桂显接任DS部门主管1个多月后，最新的战略行动，这反映了三星将在先进记忆体市场保持领先地位的企图心。

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