美光推出1β DDR5 DRAM 峰值速度可以达到7200 MT/s

　　美光公司今天发布新闻稿，进一步扩展了 1β（1-beta）工艺节点技术，推出 16Gb DDR5 内存。

　　美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已经开始向数据中心和 PC 用户提供，峰值速度可以达到 7200 MT/s。

　　这款新型 DDR5 内存采用先进的 high-k CMOS 器件技术，4 相时钟和时钟同步（clock-sync）1，相比较上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。

　　全新 1β DDR5 DRAM 产品线提供 4,800 MT/s 至 7,200 MT/s 的模块密度，满足数据中心和客户端应用的需求。

　　美光核心计算设计工程集团公司副总裁 Brian Callaway 强调了这一发展的重要性，他表示：“面向客户端和数据中心平台的 1β DDR5 DRAM 的大批量生产和可用性标志着行业的一个重要里程碑。我们与生态系统合作伙伴和客户的合作将推动这些高性能内存产品的更快普及。”

　　美光的 1β 技术支持多种基于内存的解决方案组合，包括使用 16Gb、24Gb 和 32Gb DRAM 芯片的 DDR5 RDIMM 和 MCRDIMM、使用 16Gb 和 24Gb DRAM 芯片的 LPDDR5X、HBM3E 和 GDDR7，16Gb DDR5 内存产品将通过直销和渠道合作伙伴方式销售。

　　此前报道称，行业分析机构 TechInsights 拆解 iPhone 15 Pro 之后，发现内部使用了美光最新超高密度 D1β（D1b）LPDDR5 16 Gb DRAM 芯片，这是业内首次涉足 D1β。

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