台积电宣布开发新型内存 明显领先于3D TLC NAND SSD

台积电宣布开发随机扭矩磁存储阵列(SOT-MRAM)芯片。与 DRAM 和 3D TLC NAND 相比，它具有多项优势，可用于高性能计算 (HPC)、人工智能 (AI) 和汽车芯片。

Tom's Hardware写道，SOT-MRAM 具有非易失性、低延迟和功耗，仅为自旋轨道扭矩传递 (STT) MRAM 功耗的 1% 。

理论上，SOT-MRAM 具有许多优点，使其对缓存和内存应用很感兴趣。SOT-MRAM 有可能提供比 SRAM 更高的密度，而 SRAM 几乎无法适应最新的制造技术。

它在不使用时也不会消耗电力(与 SRAM 不同)，这对于数据中心和电池供电的应用程序都是有利的。理论上，SOT-MRAM 可以处理高达 10 ns 的延迟，这肯定比 SRAM 慢(SRAM 读写延迟通常在 1-2 ns 范围内)，但比 DRAM 稍快(DDR5 的延迟约为 14 ns)。 ms)并且明显快于 3D TLC NAND(读取延迟为 50 至 100 微秒)。

“该单元可同时提供低功耗和高速运行，速度可达 10 ns。通过将其与存储电路设计中的计算集成，可以进一步增强其整体计算性能。展望未来，这项技术在高性能计算(HPC)、人工智能(AI)、汽车IC等方面具有广阔的应用前景。”工研院电子与光电研究实验室主任张世吉博士表示。

虽然SOT-MRAM的待机功耗比SRAM低，但其写入操作需要大电流，因此其动态功耗仍然相当高。此外，SOT-SRAM 单元仍然比 SRAM 单元更大并且更难制造。因此，尽管 SOT-SRAM 技术看起来很有前途，但它不太可能很快取代 SRAM。

然而，对于内存计算应用来说，SOT-MRAM 可能有意义，如果不是现在，那么当台积电了解如何使 SOT-MRAM 具有成本效益时。

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