三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额

继去年的存储器半导体衰退之后，三星电子和SK海力士正通过扩大先进加工，积极增加对DRAM的关注。这一举措是由于在强劲的人工智能(AI)需求的推动下，高带宽存储器(HBM)和双倍数据速率5(DDR5)的订单预计会增加。

然而，NAND闪存的前景与去年的紧缩立场相似，主要是由于在实际需求复苏仍不温不火的情况下，大多数投资都投向了先进的DRAM。三星去年继续进行了大量资本投资，似乎利用竞争对手的有限投资作为提高其在先进加工领域竞争优势的机会。

考虑到最近DRAM价格的反弹，三星电子和SK海力士正在考虑增加工厂的半导体晶圆投入。这是为了加快向10纳米(nm)第4代(1a)和第5代(1b)版本的过渡，以生产高价值产品，如HBM、DDR5和低功耗(LP)DDR5。然而，随着半导体行业继续减少DDR4的库存，并将投资重点放在供应增长缓慢的精细工艺上，预计今年DRAM供应的总体增长将受到限制。

三星电子计划今年大幅增加DRAM晶圆的投入，该投入由其平泽3号工厂(P3)的全面运营提供动力。随着去年下半年围绕传统DRAM启动的大规模生产调整，预计到今年年底，运营率将逐步正常化。

SK海力士正专注于扩大先进工艺的产量，主要在其位于韩国的M16和M14工厂。继去年10月美国半导体设备出口管制转向全面许可证制度后，该公司还在中国无锡工厂加快向先进工艺的过渡。由于尖端极紫外光刻设备在中国仍被禁止进口，据报道，SK海力士正在考虑在韩国进行单独的极紫外工艺。

三星电子和SK海力士强调扩大先进工艺份额的原因是，预计今年对高价值DRAM的需求将持续强劲。HBM与人工智能半导体一起使用，将大幅扩大第4代(HBM3)的供应，并开始第5代(HBM3E)的新批量生产。目前安装在人工智能服务器和个人电脑中的DDR5预计将从今年开始向通用服务器过渡。

在去年年底将NAND闪存工厂的晶圆投入比年初减少一半后，三星电子继续推行积极的NAND闪存减少战略，重点关注128层(第6代)。该公司正在推动直接过渡到236层(第8代)，由于价格大幅下跌和老一代NAND闪存销售低迷，跳过了中间代。

SK海力士还计划今年以238层为中心进行工艺转型。然而，分析表明，由于去年的资本投资主要集中在扩大HBM产能上，NAND闪存高级处理的积极扩张可能具有挑战性。

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